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[新闻公告]   内部杂质污染对 SC 切晶体老化性能的影响

2026-6-18     DEI Blog_06.18.29

SC 切晶体原生具备优异的低老化、高稳定特性，但 OCXO 腔体内部的材料放气、水汽渗入、工艺残留、化学反应等杂质污染，会加剧晶体频率漂移、衰减 Q 值、偏移零温漂拐点并抬升信号噪声，严重削弱其长期精密性能。通过高气密封装、低放气材料、超精密清洗、真空悬浮结构及严苛质检等工艺手段，可有效抑制内部污染，完整保留 SC 切晶体的超低老化优势，保障 5G 通信、航空航天、精密仪器等高端场景的长期高精度授时稳定性。
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[新闻公告]   SC 切晶体老化性能更优异的核心成因

2026-6-17     DEI Blog_06.17.26

本文剖析 SC 切晶体老化性能优于 AT 切的核心成因。SC 切凭借专属应力补偿切角，从根源抵消机械与热应力，搭配更低的装配与镀膜内应力、高温零温漂最优工作点、高线性度频漂特性、强环境抗扰能力与更高 Q 值谐振特性，大幅抑制长期频率漂移、减缓器件老化，性能表现稳定且可预判校准，是长周期、高精度、高可靠 OCXO 精密授时场景的核心优选。
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[新闻公告]   OCXO 中 SC 切与 AT 切晶体的老化性能对比

2026-6-16     DEI Blog_06.16.26

本文对比 OCXO 中 SC 切与 AT 切晶体的老化性能，SC 切凭借应力补偿结构，年老化速率仅为 AT 切的十分之一，长期累积频漂更低、时序一致性更强，抗温度与机械应力效果优异，可大幅延长校准周期、降低运维成本。适合 5G 基站、卫星航天、精密仪器等长期高精度场景；而 AT 切老化漂移偏大，仅适用于普通消费与低成本物联网设备。
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[新闻公告]   OCXO 中 SC 切晶体相对 AT 切晶体的核心优势

2026-6-15     DEI Blog_06.15.26

在高性能 OCXO 中，SC 切晶体相比传统 AT 切晶体具备全方位性能优势，拥有更优异的宽温频率稳定性、更低应力敏感度、极低老化漂移与更佳相位噪声，且具备零温漂工作拐点，可在大幅温度波动与机械扰动下保持超高时序精度。SC 切晶体凭借极致的长期稳定性与纯净信号特性，成为 5G 通信、卫星导航、军工雷达与精密测试设备高端 OCXO 的核心优选，而 AT 切晶体仅适用于普通精度、成本优先的通用场景。
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DEI Blog_03.26.25 DEI Blog_03.05.24 高稳定性、精准时序、Stratum 3 、温补晶振、TCXO DEI Blog_01.22.24 低噪声 DEI Blog_08.15.25 高频、低相位噪声、高性价比、OCXO DEI Blog_12.26.24 DEI Blog_05.07.26 DEI Blog_12.22.23 DEI Blog_12.01.25 DEI Blog_07.04.24 DEI Blog_05.13.26 DEI Blog_10.11.23 DEI Blog_02.27.26 DEI Blog_09.22.23 低抖动、晶体振荡器 DEI Blog_07.03.24 DEI Blog_01.14.26 DEI Blog_03.11.25 DEI Blog_01.19.24 高频通信 DEI Blog_02.07.24 DEI Blog_08.27.25 DEI Blog_05.28.24 DEI Blog_06.24.25 DEI Blog_05.26.26 DEI Blog_06.05.25 DEI Blog_02.11.24 晶体单元 DEI Blog_07.18.24 DEI Blog_01.04.26